ما در شرکت، خدمات تخصصی طراحی و ساخت انواع ترانسفورماتورهای سوئیچینگ را با بالاترین سطح دقت مهندسی و استاندارد صنعتی ارائه میدهیم. این خدمات شامل طراحی الکترومغناطیسی، محاسبات هسته، گپگذاری، نمونهسازی، آزمون و تولید انبوه است.
ترانسهای طراحیشده توسط تیم ما برای کار در توپولوژیهای مختلف شامل Flyback، Forward، Push-Pull، Half-Bridge، Full-Bridge و LLC-Resonant بهینهسازی میشوند.
۱. محاسبه و طراحی بهینه مغناطیسی (Magnetic Optimization)
طراحی مغناطیسی هسته در ترانسهای سوئیچینگ، تعیینکننده راندمان، دما، پایداری و طول عمر دستگاه است. ما با بهرهگیری از مدلهای دقیق تحلیل مغناطیسی:
- انتخاب بهترین نوع هسته (Ferrite, Nano-crystalline, Powder Core)
- محاسبه دقیق Bmax و پیشگیری از اشباع
- تعیین تراکم شار بهینه برای کاهش تلفات هیسترزیس
- محاسبه Lm، Llkg و توزیع انرژی ذخیرهشده
- کاهش تلفات AC در سیمپیچ (Skin و Proximity Effects)
- بهینهسازی هندسه سیمپیچ برای حداقل تلفات و بالاترین بازده
را انجام میدهیم تا ترانسی با عملکرد عالی در فرکانسهای 20 kHz تا چند MHz حاصل شود.
۲. محاسبه گپ بهینه (Optimized Air-Gap Calculation)
در طراحی ترانسهای سوئیچینگ، گپ هوا نقش کلیدی در کنترل اندوکتانس، جلوگیری از اشباع و ذخیره انرژی دارد.
ما گپ را نه بر اساس تجربه، بلکه بر پایه محاسبات دقیق و شبیهسازی تعیین میکنیم:
- تعیین مقدار گپ بر اساس انرژی ذخیرهشده و Bmax
- محاسبه اثر گپ بر Leakage و Magnetizing Inductance
- استفاده از مدلهای غیرخطی μ-H برای دقت بیشتر
- تعیین گپ پلکانی، مایل (Angled Gap) یا مستقیم
- بهینهسازی برای توپولوژیهایی مانند Flyback و LLC
این سطح از دقت باعث میشود ترانس تحت بارهای سنگین نیز پایدار باقی بماند و دمای آن کنترل شود.
۳. تراش گپ با ماشین گپتراش مخصوص، با دقت 0.5 μm و قابلیت ایجاد زاویه
یکی از بزرگترین مزیتهای رقابتی ما، تجهیزات گپتراش صنعتی فوقدقیق است.
ما گپ هسته را با امکانات زیر ایجاد میکنیم:
- دقت تراش تا 0.5 میکرون (0.5 µm)
- قابلیت گپگذاری کاملاً یکنواخت بدون شکست ساختار فریت
- توانایی ایجاد گپ زاویهدار برای کاهش تلفات و تنظیم دقیق Lm/Llkg
- گپگذاری روی هستههای EE، EI، ER، PQ، RM، EP، EFD و…
- کنترل دقیق زبری سطح برای جلوگیری از Hot-Spot
- کنترل کیفیت سهمرحلهای با پروفایلسنج لیزری
نتیجه، دستیابی به ترانسهایی است که رفتار الکترومغناطیسی کاملاً تکرارپذیر و پایدار دارند.
۴. نمونهسازی (Prototyping) سریع و دقیق
پس از مرحله طراحی، نمونه اولیه با دقت بالا تولید میشود:
- ساخت فیزیکی هسته و گپ با تلرانس استاندارد
- پیچش سیمپیچ با روشهای Layered، Bifilar، Litz Wire
- اندازهگیری دقیق Lm، Llkg، Q-Factor و تلفات
- تست حرارتی در بارهای واقعی و Overload
- تطابق کامل نمونه با مدل شبیهسازیشده
نمونه اولیه پس از تایید مشتری، آماده ورود به مرحله تولید انبوه است.